10nm以下，电容的物理尺寸已经小到无法存储足够的电荷。」
「这就像你用一个针眼大小的水桶去装水，水还没装满，就已经从边缘漏光了。」
「为了解决这个问题，山星、SK海力士和美光等内存大厂，将电容做成深沟槽结构。」
「可是沟槽越深，刻蚀就越难，良率也越低！」
他的语速平稳，却字字紮心。
这些都是行业痛点！
DRAM电容缩放逼近物理极限，3DNAND深宽比刻蚀良率告急。
所有人都陷入了EUV资本支出陷阱与多重曝光的成本墙中。
天工科技虽说拥有一定成本优势，但那也是因为星源科技提供了内部采购价。
他们能够以全球最低价买入破晓A3XEUV光刻机，以及6N级氖气，但想大幅降低成本，也不是一件容易的事情。
「3DNAND也一样。」
「从64层堆到128层，深宽比已经超过了60：1。
「这是什麽概念？」
「相当於你要在一根头发丝粗细的管道里，钻出60倍深度的孔，还要保证孔壁光滑、
垂直、不塌陷。」
「晶圆边缘的良率，已经低到不能看。」
李道鸣继续说道。
他顿了顿，轻笑一声：「这就是2018年存储行业的真相。」
「不是不想进步，而是物理学按住了我们的脖子。」
「所以，老板又问了我第二个问题。」
李道鸣话锋一转，眼神也亮了起来。
「如果不存储电荷，我们还能存储什麽？」
「答案是，存储原子的状态！」
说完，他往前迈了一步，掷地有声地说道：「我们放弃了半导体行业坚持五十年的电荷存储方案，转向阻变存储，也就是ReRAM技术方案。」
「原理其实很简单，在两层金属电极之间，夹一层只有几纳米厚的金属氧化物。」
「施加电压，氧原子会移动，形成导电的丝状通道，电阻变低，这是1。」
「施加反向电压，通道断裂，电阻变高，这就是0。」
「不需要电容，不需要刷新，断电之後，数据也不会丢失。」
台下传来一阵惊叹声。
吴欣鸿低声对雷逸军说道：「这好像不是新技术啊！ReRAM几年前就有人研究了，小日子在这上面可没少
…。。