两极分别在其两端，三栅极紧贴其侧壁和顶部。这种鳍形结构增大了栅围绕沟道的面，加强了栅对沟道的控制，从而可以有效缓解平面器件中出现的短沟道效应，大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的栅长，也正由于该特性，FinFET无须高掺杂沟道，就能够提高沟道载流子迁移率的同时，还有效降低杂质离子散射效应。”
“就是对元器件之间的电流控制加强了。”胡长风说道：“是这个意思吧？”
“对，这个需求在大制程的芯片上本来无需考虑。但是随着电路越来越精细，制程越来越小，栅极对沟道的控制能力就必须越来越强。缩短栅长并抑制短沟道效应，改善电路控制，减少漏电流，也成了超大规模集成电路先进制程工艺绕不开的，必须克服的工艺技术。”
“就目前的技术发展而言，胡正明教授发明鳍式场效应晶体管技术，是最有希望在50纳米制程以下实现商业化应用的。”
“我们现在不是还在准备攻克2.5微米吗？离五十纳米还早吧？”胡长风问道。
“从理论上来说，我们拥有2.5微米制程生产线以后，再使用稀土材料互联技术，可以实现2.5微米到25纳米的超大规模集成电路芯片的生产，而获得鳍式场效应晶体管技术以后，则可以满足50纳米到5纳米制程的超大规模集成电路芯片的生产。”
“两项技术相辅相成，一项是我们追平世界的保证，而另一项，则是赶超世界的保证。”