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后来，他进一步的探索，用AFM、TEM、SEM等各种电镜进行观察，反正模拟实验室里电镜也不花钱，就索性全用上测一遍。
最终结果显示，旋涂得到的银纳米线很多根都是近似平行的或者堆在一起的，而且还有一些已经断掉了的纳米线。
纳米线这种东西想要具有良好的导电性，必须要每根纳米线相互之间接触良好，形成一种类似于网格状的结构。
因此，现在这样的微观结构，导电率低下也就很容易理解了，可能的原因是旋涂过程中对银纳米线造成了取向和破坏。
为了试图解决这个问题，许秋浏览了一下小虫子网站。
发现其他人在旋涂银纳米线的时候，也出现过类似的问题，包括导电性差、稳定性差等，而且没有太好的解决方法。
于是，许秋又去查阅了一些文献，发现制备银纳米线导电薄膜的常用方法，是刮涂、滴涂，以及“slot-die”的方法。
所谓“slot-die”的方法，有点像是刮涂的进阶版本，就是在基片上方一定高度处放一个窄槽，这个窄槽里面不断注入有效层或者传输层溶液，这些溶液会从窄槽中滴落，落到基片上成膜，因为是窄槽，所以形成的薄膜也是细细的窄膜。这个时候，让溶液在滴落的过程中，以一定的速率同步的移动窄槽，就可以使得滴落后的溶液扑满窄槽扫过的面积，也即得到一层薄膜。
“slot-die”和刮涂的区别就是刮涂是先把溶液滴在基片上，而“slot-die”是溶液在窄槽内，然后一点点的往出流，因此工艺难度很稍微高一些。
许秋的这番操作，其实也是他在遇到实验失败时的常规步骤：
首先根据实验现象推断可能的原因；
然后用便宜的方法（万用表）初步确认原因；
再用贵的方法（各种电镜）确认原因，当然如果组里没钱的话，这一步可以省略；
接着，去小虫子看看其他人有没有类似的情况，他们是怎么解决的；
最后翻文献，找到解决或者替代的方法。
这些顺序也不是完全固定的，可以根据实际需要进行调整。
另外，之所以首先要去小虫子逛逛，是因为这里是关于科研的中文论坛，大佬们层出不穷，如果能精准的搜索到别人已经解决的问题，就会省下不少时间，类似于程序圈里用别人造好的轮子。
毕竟，检索SCI论文花费的时间可不
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